창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-0034.6711 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MST 250 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS, Fuse Products | |
3D 모델 | 34-6711.igs 34-6711.stp 34-6711.dxf | |
PCN 설계/사양 | MST 250, MSU 250 Voltage Rating 19/Mar/2013 | |
PCN 포장 | Multiple Devices 20/Nov/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | 퓨즈 | |
제조업체 | Schurter Inc. | |
계열 | MST 250 | |
포장 | 벌크 | |
퓨즈 유형 | 기판 실장(카트리지형 제외) | |
정격 전류 | 400mA | |
정격 전압 - AC | 250V | |
정격 전압 - DC | 125V | |
응답 시간 | 저속 | |
패키지/케이스 | 방사형, 캔, 수직형 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
차단 용량 @ 정격 전압 | 35A AC, 50A DC | |
용해 I²t | 1.1 | |
승인 | CCC, cURus, KC, VDE | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
색상 | - | |
크기/치수 | 0.335" Dia x 0.335" H(8.50mm x 8.50mm) | |
DC 내한성 | - | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | 0034.6711-ND 34.6711 34.6711-ND 346711 486-2631 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 0034.6711 | |
관련 링크 | 0034, 0034.6711 Datasheet, Schurter Inc. Distributor |
![]() | 1210GC181KAT1A | 180pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 1210GC181KAT1A.pdf | |
![]() | KTD251B104M32A0T00 | 0.10µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.138" W(5.00mm x 3.50mm) | KTD251B104M32A0T00.pdf | |
![]() | GRM1556S1H8R0DZ01D | 8pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556S1H8R0DZ01D.pdf | |
![]() | FCN1913A823K-E3 | 0.082µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 1913 (4833 Metric) 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) | FCN1913A823K-E3.pdf | |
![]() | TS540T33IET | 54MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS540T33IET.pdf | |
![]() | 445C32S24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C32S24M57600.pdf | |
![]() | 416F360X2ASR | 36MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X2ASR.pdf | |
![]() | U3C-M3/9AT | DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AB | U3C-M3/9AT.pdf | |
![]() | NTMFS5C646NLT3G | MOSFET N-CH 60V 20A SO-8FL | NTMFS5C646NLT3G.pdf | |
![]() | HCMA1707-8R2-R | 8.2µH Shielded Wirewound Inductor 16A 8.7 mOhm Max Nonstandard | HCMA1707-8R2-R.pdf | |
![]() | RC0402F103CS | RES SMD 10K OHM 1% 1/32W 01005 | RC0402F103CS.pdf | |
![]() | YC162-FR-0744R2L | RES ARRAY 2 RES 44.2 OHM 0606 | YC162-FR-0744R2L.pdf |