창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1.5KE18A-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1.5KE-G Series | |
제품 교육 모듈 | ESD and ESD Suppressors | |
PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Comchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 15.3V | |
전압 - 항복(최소) | 17.1V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 25.2V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 59.52A | |
전력 - 피크 펄스 | 1500W(1.5kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-201AA, DO-27, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | DO-201 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1.5KE18A-G | |
관련 링크 | 1.5KE, 1.5KE18A-G Datasheet, Comchip Technology Distributor |
UKA1C332MHD | 3300µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UKA1C332MHD.pdf | ||
LD025A120FAB2A | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | LD025A120FAB2A.pdf | ||
VJ1206A221KBAAT4X | 220pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A221KBAAT4X.pdf | ||
890334023028CS | 0.22µF Film Capacitor 310V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.512" L x 0.315" W (13.00mm x 8.00mm) | 890334023028CS.pdf | ||
224MPR250K | 0.22µF Film Capacitor 200V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.295" W (18.00mm x 7.50mm) | 224MPR250K.pdf | ||
MKP1841210636M | 1000pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.512" L x 0.138" W (13.00mm x 3.50mm) | MKP1841210636M.pdf | ||
416F38413IDR | 38.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38413IDR.pdf | ||
ASTMHTV-25.000MHZ-AC-E-T | 25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-25.000MHZ-AC-E-T.pdf | ||
IXFK170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO-264 | IXFK170N10P.pdf | ||
NLV32T-1R5J-PF | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 850 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-1R5J-PF.pdf | ||
PE1206FRF070R18L | RES SMD 0.18 OHM 1% 1/4W 1206 | PE1206FRF070R18L.pdf | ||
E-TA2012 T 7DB N8 | RF Attenuator 7dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 7DB N8.pdf |