Johanson Technology Inc. 102S42E820KV4E
.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- 102S42E820KV4E
- 제조업 자
- Johanson Technology Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 82pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
102S42E820KV4E 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 518.91850
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 102S42E820KV4E, we specialize in all series Johanson Technology Inc. electronic components. 102S42E820KV4E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 102S42E820KV4E, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 102S42E820KV4E 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
102S42E820KV4E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-102S42E820KV4E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MLCC High-Q Caps Datasheet | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Johanson Technology Inc. | |
| 계열 | E | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 82pF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 1000V(1kV) | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1111(2828 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.102"(2.59mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실, 고전압 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 102S42E820KV4E | |
| 관련 링크 | 102S42E, 102S42E820KV4E Datasheet, Johanson Technology Inc. Distributor | |
102S42E820KV4E 의 관련 제품
 | C322C473K5R5TA | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | C322C473K5R5TA.pdf | |
 | 5KP10AHE3/54 | TVS DIODE 10VWM 17VC P600 | 5KP10AHE3/54.pdf | |
 | ASTMK-8.192KHZ-LQ-D26-H-T | 8.192kHz NanoDrive™ MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.5 V ~ 3.63 V 1.4µA | ASTMK-8.192KHZ-LQ-D26-H-T.pdf | |
 | BYW29-200-E3/45 | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | BYW29-200-E3/45.pdf | |
 | NLV32T-8R2J-PF | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 170mA 2 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-8R2J-PF.pdf | |
 | ERJ-S06J201V | RES SMD 200 OHM 5% 1/8W 0805 | ERJ-S06J201V.pdf | |
 | D2TO035C43000JRE3 | RES SMD 4.3K OHM 5% 35W TO263 | D2TO035C43000JRE3.pdf | |
| Y1746152R000A5R | RES SMD 152OHM 0.05% 0.6W J LEAD | Y1746152R000A5R.pdf | |
 | CRCW08055M36FKEB | RES SMD 5.36M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08055M36FKEB.pdf | |
 | MFR-25FBF52-41R2 | RES 41.2 OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-41R2.pdf | |
| Y145335R0000B9L | RES 35 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y145335R0000B9L.pdf | |
| MS46SR-20-260-Q1-50X-50R-NC-FN | SYSTEM | MS46SR-20-260-Q1-50X-50R-NC-FN.pdf |
