창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-175GDMSJD15E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
표준 포장 | 1 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | 전기, 특수 퓨즈 | |
제조업체 | Eaton | |
계열 | * | |
포장 | - | |
퓨즈 유형 | * | |
정격 전류 | * | |
정격 전압 - AC | * | |
정격 전압 - DC | * | |
응답 시간 | * | |
응용 제품 | * | |
특징 | * | |
등급 | * | |
승인 | * | |
작동 온도 | * | |
차단 용량 @ 정격 전압 | * | |
실장 유형 | - | |
패키지/케이스 | - | |
크기/치수 | - | |
용해 I²t | * | |
DC 내한성 | * | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 175GDMSJD15E | |
관련 링크 | 175GDM, 175GDMSJD15E Datasheet, Eaton Distributor |
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![]() | TAJD158K002RNJ | 1500µF Molded Tantalum Capacitors 2.5V 2917 (7343 Metric) 200 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJD158K002RNJ.pdf | |
![]() | SIR402DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | SIR402DP-T1-GE3.pdf | |
![]() | NTLJS3A18PZTXG | MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6 | NTLJS3A18PZTXG.pdf | |
![]() | CI100505-8N2J | 8.2nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 280 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | CI100505-8N2J.pdf | |
![]() | IMC1812BN390J | 39µH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 4.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BN390J.pdf | |
![]() | P1330-683H | 68µH Unshielded Inductor 384mA 1.02 Ohm Max Nonstandard | P1330-683H.pdf | |
![]() | ERJ-S03F54R9V | RES SMD 54.9 OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F54R9V.pdf | |
![]() | AF1210FR-07768RL | RES SMD 768 OHM 1% 1/2W 1210 | AF1210FR-07768RL.pdf | |
![]() | 217183-2 | SENSOR ASSY (URETHANE) | 217183-2.pdf |