창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1EZ100D/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1EZ110D5-1EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 100V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1EZ100D/TR8 | |
관련 링크 | 1EZ10, 1EZ100D/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | VJ1808A821KBBAT4X | 820pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A821KBBAT4X.pdf | |
![]() | C931U360JZNDCA7317 | 36pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | C931U360JZNDCA7317.pdf | |
![]() | 0679H1250-05 | FUSE BRD MNT 1.25A 350VAC 72VDC | 0679H1250-05.pdf | |
![]() | 5KP210C | TVS DIODE 210VWM 366.98VC AXIAL | 5KP210C.pdf | |
![]() | 403I35D19M66080 | 19.6608MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403I35D19M66080.pdf | |
![]() | AOCJY3-12.800MHZ-E-SW | 12.8MHz Sine Wave OCXO Oscillator Through Hole 3.3V | AOCJY3-12.800MHZ-E-SW.pdf | |
![]() | PMEG3010AESBZ | DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2 | PMEG3010AESBZ.pdf | |
![]() | S1PAHE3/84A | DIODE GEN PURP 50V 1A DO220AA | S1PAHE3/84A.pdf | |
![]() | IRGB4620DPBF | IGBT 600V 32A 140W TO220 | IRGB4620DPBF.pdf | |
![]() | LPS1100H4R70JB | RES CHAS MNT 4.7 OHM 5% 1100W | LPS1100H4R70JB.pdf | |
![]() | AT0402FRE0717K8L | RES SMD 17.8K OHM 1% 1/16W 0402 | AT0402FRE0717K8L.pdf |