창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1EZ110DE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1EZ110D5-1EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 570 옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 83.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1EZ110DE3/TR8 | |
관련 링크 | 1EZ110, 1EZ110DE3/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
C0805C330J1GALTU | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C330J1GALTU.pdf | ||
FK0360004 | 3.686MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 10mA Enable/Disable | FK0360004.pdf | ||
EGP30A | DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD | EGP30A.pdf | ||
RLB0608-121KL | 120µH Unshielded Wirewound Inductor 290mA 1.9 Ohm Max Radial | RLB0608-121KL.pdf | ||
ISC1210BNR68M | 680nH Shielded Wirewound Inductor 450mA 480 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210BNR68M.pdf | ||
ISC1812EB560J | 56µH Shielded Wirewound Inductor 173mA 2.34 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812EB560J.pdf | ||
RT0603BRB0740R2L | RES SMD 40.2 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB0740R2L.pdf | ||
TNPW2010392KBEEY | RES SMD 392K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010392KBEEY.pdf | ||
YC162-FR-07115KL | RES ARRAY 2 RES 115K OHM 0606 | YC162-FR-07115KL.pdf | ||
40F7K0 | RES 7K OHM 10W 1% AXIAL | 40F7K0.pdf | ||
CMF651M2700FHBF | RES 1.27M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF651M2700FHBF.pdf | ||
AMS22S5A1BHAFL101 | ROTARY NON-CONTACT ANALOG SENSOR | AMS22S5A1BHAFL101.pdf |