Microsemi Corporation 1N2817B
- 제조업체 부품 번호
- 1N2817B
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 19V 50W TO204AD
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N2817B 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 48,811.68800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N2817B, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N2817B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N2817B, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N2817B 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N2817B 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2817B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 14.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-204AD | |
| 공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2817B | |
| 관련 링크 | 1N2, 1N2817B Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N2817B 의 관련 제품
.jpg) | VY2101K29Y5SS6TV0 | 100pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5S 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | VY2101K29Y5SS6TV0.pdf | |
 | VJ1808A510JBAAT4X | 51pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A510JBAAT4X.pdf | |
 | F339X131048MD02W0 | 10000pF Film Capacitor 480V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | F339X131048MD02W0.pdf | |
 | T551B107M060AT | 100µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 60V Axial, Can 100 mOhm 0.312" Dia x 0.641" L (7.92mm x 16.28mm) | T551B107M060AT.pdf | |
 | 445C3XF16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 24pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XF16M00000.pdf | |
 | 416F440X2AKT | 44MHz ±15ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F440X2AKT.pdf | |
 | SIT3809AI-G-33NY | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA | SIT3809AI-G-33NY.pdf | |
| RO3144A | 916.5MHz SAW Resonator 0.032ppm 1 MOhm -40°C ~ 85°C Surface Mount | RO3144A.pdf | |
 | SHN2D02FUTW1T1G | DIODE SWITCHING SC88 | SHN2D02FUTW1T1G.pdf | |
 | MMBZ5230B-TP | DIODE ZENER 4.7V 350MW SOT23 | MMBZ5230B-TP.pdf | |
-2600(S).jpg) | 26S331C | 330µH Shielded Wirewound Inductor 570mA 800 mOhm Max Nonstandard | 26S331C.pdf | |
.jpg) | CRGV0805F383K | RES SMD 383K OHM 1% 1/8W 0805 | CRGV0805F383K.pdf |
