Microsemi Corporation 1N2970A
- 제조업체 부품 번호
- 1N2970A
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 6.8V 10W DO213AA
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N2970A 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 25,012.60800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N2970A, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N2970A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N2970A, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N2970A 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N2970A 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2970A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 10W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1.2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 5.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2970A | |
| 관련 링크 | 1N2, 1N2970A Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N2970A 의 관련 제품
-9.jpg) | CL10B103KB8WPNC | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10B103KB8WPNC.pdf | |
 | VJ1206A330KBLAT4X | 33pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A330KBLAT4X.pdf | |
| ECW-HA3C562HB | 5600pF Film Capacitor 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.701" L x 0.268" W (17.80mm x 6.80mm) | ECW-HA3C562HB.pdf | |
 | T491B475K016AS | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1411 (3528 Metric) 3.5 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T491B475K016AS.pdf | |
 | 416F25013ATR | 25MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25013ATR.pdf | |
 | HCPL-M453-000E | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 6-SO | HCPL-M453-000E.pdf | |
 | ERJ-1GEF4220C | RES SMD 422 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF4220C.pdf | |
.jpg) | RT0603BRD073K57L | RES SMD 3.57KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD073K57L.pdf | |
.jpg) | RT1210FRD07732RL | RES SMD 732 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD07732RL.pdf | |
 | CMF50250R00FEEK | RES 250 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50250R00FEEK.pdf | |
| P51-300-G-L-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Female - M10 x 1.25 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-G-L-MD-4.5OVP-000-000.pdf | |
| P51-1000-S-Y-I36-5V-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-1000-S-Y-I36-5V-000-000.pdf |
