창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N2976RB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N2970B-3015B,1N3993A-98A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 10W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 9.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 2A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N2976RB | |
관련 링크 | 1N29, 1N2976RB Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | S0603-15NG3C | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 200 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-15NG3C.pdf | |
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![]() | AT1206CRD0734R8L | RES SMD 34.8 OHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD0734R8L.pdf | |
![]() | RG2012V-9311-B-T5 | RES SMD 9.31K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012V-9311-B-T5.pdf | |
![]() | H818R2BYA | RES 18.2 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H818R2BYA.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 4DB N6 | RF Attenuator 4dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 4DB N6.pdf |