창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3312A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.1옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 9.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N3312A | |
관련 링크 | 1N3, 1N3312A Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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APXE2R5ARA681MH70G | 680µF 2.5V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 13 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | APXE2R5ARA681MH70G.pdf | ||
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![]() | NGTB05N60R2DT4G | IGBT 5A 600V DPAK | NGTB05N60R2DT4G.pdf | |
![]() | 1330-56H | 33µH Unshielded Inductor 130mA 3.4 Ohm Max 2-SMD | 1330-56H.pdf | |
![]() | F20J4K0 | RES CHAS MNT 4K OHM 5% 20W | F20J4K0.pdf | |
![]() | ERA-2AEB9090X | RES SMD 909 OHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2AEB9090X.pdf | |
![]() | AR0805FR-071R24L | RES SMD 1.24 OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-071R24L.pdf | |
![]() | CRT0603-FY-1000ELF | RES SMD 100 OHM 1% 1/10W 0603 | CRT0603-FY-1000ELF.pdf | |
![]() | TBH25P33R0JE | RES 33 OHM 25W 5% TO220 | TBH25P33R0JE.pdf | |
![]() | MR1FT25L0 | RES CURRENT SENSE .025 OHM 1W 1% | MR1FT25L0.pdf |