창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3321RA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.6옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 18.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N3321RA | |
관련 링크 | 1N33, 1N3321RA Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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ECJ-1VB2A102K | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ECJ-1VB2A102K.pdf | ||
BZX384C20-G3-18 | DIODE ZENER 20V 200MW SOD323 | BZX384C20-G3-18.pdf | ||
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GP1M009A090N | MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN | GP1M009A090N.pdf | ||
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RSMF12JB4K70 | RES MO 1/2W 4.7KOHM 5% AXL | RSMF12JB4K70.pdf | ||
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Y472513K5135B0L | RES 13.5135K OHM 3/4W 0.1% AXIAL | Y472513K5135B0L.pdf |