창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3515A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N3506A-1N3534A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N3515A | |
관련 링크 | 1N3, 1N3515A Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | UWX1HR22MCR2GB | 0.22µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | UWX1HR22MCR2GB.pdf | |
![]() | 416F52033ATR | 52MHz ±30ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52033ATR.pdf | |
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![]() | SIT8208AC-82-33E-32.768000Y | OSC XO 3.3V 32.768MHZ OE | SIT8208AC-82-33E-32.768000Y.pdf | |
![]() | FXO-HC730R-60 | 60MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC730R-60.pdf | |
![]() | SZMMBZ5250ELT1G | DIODE ZENER 20V 225MW SOT23-3 | SZMMBZ5250ELT1G.pdf | |
![]() | MHQ1005P20NGTD25 | 20nH Unshielded Multilayer Inductor 260mA 1.1 Ohm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P20NGTD25.pdf | |
![]() | RT0603BRB07158RL | RES SMD 158 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB07158RL.pdf | |
![]() | RCP0505B18R0JEB | RES SMD 18 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B18R0JEB.pdf | |
![]() | CMF558K6000FEBF | RES 8.6K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF558K6000FEBF.pdf | |
![]() | MMA6519KW | Accelerometer X, Y Axis ±80g 16-QFN-EP (6x6) | MMA6519KW.pdf |