창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3530A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N3506A-1N3534A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 50옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N3530A | |
관련 링크 | 1N3, 1N3530A Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | VJ0805D620MXBAP | 62pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D620MXBAP.pdf | |
![]() | 416F44022CTT | 44MHz ±20ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44022CTT.pdf | |
![]() | SIT1602AIU1-XXS | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Standby | SIT1602AIU1-XXS.pdf | |
![]() | STTH3R02 | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD | STTH3R02.pdf | |
![]() | NTTFS4C25NTWG | MOSFET N-CH 30V 27A U8FL | NTTFS4C25NTWG.pdf | |
![]() | ASPI-0503H-151K-T | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 430mA 1.3 Ohm Max Nonstandard | ASPI-0503H-151K-T.pdf | |
![]() | LTV-826S-TA1 | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 2 Channel 8-SMD | LTV-826S-TA1.pdf | |
![]() | CRCW121045K3FKTA | RES SMD 45.3K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121045K3FKTA.pdf | |
![]() | AMBA340912 | MOTION SENSOR H TYPE 120CM | AMBA340912.pdf | |
![]() | P51-75-G-L-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Female - M10 x 1.25 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-75-G-L-D-5V-000-000.pdf |