창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3768R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N3765 thru 1N3768R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준, 역극성 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1000V(1kV) | |
전류 -평균 정류(Io) | 35A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 35A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 50V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 190°C | |
표준 포장 | 5 | |
다른 이름 | 1242-1021 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N3768R | |
관련 링크 | 1N3, 1N3768R Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
UBT1E331MPD1TD | 330µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 125°C | UBT1E331MPD1TD.pdf | ||
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GRM0335C1E9R4CA01D | 9.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E9R4CA01D.pdf | ||
VJ0805D910JXPAP | 91pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D910JXPAP.pdf | ||
VJ0805D2R2BLAAC | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R2BLAAC.pdf | ||
VJ0805D2R4BXAAC | 2.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R4BXAAC.pdf | ||
VJ0805D750FXAAP | 75pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D750FXAAP.pdf | ||
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