Microsemi Corporation 1N4120 (DO35)

1N4120 (DO35)
제조업체 부품 번호
1N4120 (DO35)
제조업 자
제품 카테고리
다이오드- 제너 - 단일
간단한 설명
DIODE ZENER 30V 400MW DO35
Datesheet 다운로드
다운로드
1N4120 (DO35) 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 5,318.94142
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of 1N4120 (DO35), we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N4120 (DO35) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4120 (DO35), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
1N4120 (DO35) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
1N4120 (DO35) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-1N4120 (DO35)
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서1N4614-1~4627-1e3, 1N4099-1~4135-1e3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드- 제너 - 단일
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황유효
전압 - 제너(공칭)(Vz)30V
허용 오차±5%
전력 - 최대400mW
임피던스(최대)(Zzt)200옴
전류 - 역누설 @ Vr10nA @ 22.8V
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
실장 유형스루홀
패키지/케이스DO-204AH, DO-35, 축
공급 장치 패키지DO-35
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)1N4120 (DO35)
관련 링크1N4120, 1N4120 (DO35) Datasheet, Microsemi Corporation Distributor
1N4120 (DO35) 의 관련 제품
470pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) SR155C471KAATR2.pdf
330pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) 1206AA331JAT1A.pdf
0.027µF Film Capacitor 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.512" L x 0.260" W (13.00mm x 6.60mm) ECW-F6273JL.pdf
1000pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) MKP385210160JC02R0.pdf
1µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 4030 (10276 Metric) 0.413" L x 0.299" W (10.50mm x 7.60mm) CB167E0105KBC.pdf
4µF Film Capacitor 370V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 2.160" L x 1.310" W (54.86mm x 33.27mm), Lip SFA37S4K219B.pdf
25MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F25035ADR.pdf
24MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable ASTMHTE-24.000MHZ-AJ-E-T.pdf
RES SMD 634 OHM 1% 1W 0207 MMB02070C6340FB200.pdf
RES 11 OHM 3.25W 5% AXIAL 93J11R.pdf
RES 9.7 OHM 8W 0.1% TO220-4 Y16909R70000B9L.pdf
RF Attenuator 0Hz ~ 12.4GHz 2W HEX In-Line Module ATT-0291-00-HEX-02.pdf