Microsemi Corporation 1N4153UR-1
- 제조업체 부품 번호
- 1N4153UR-1
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N4153UR-1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,491.89517
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N4153UR-1, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N4153UR-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4153UR-1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N4153UR-1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N4153UR-1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4153UR-1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N4143UR-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 150mA | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4153UR-1 | |
| 관련 링크 | 1N415, 1N4153UR-1 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N4153UR-1 의 관련 제품
 | C0603C473J5RACTU | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C473J5RACTU.pdf | |
 | 06033C492JAT2A | 4900pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033C492JAT2A.pdf | |
.85mm.jpg) | GRM2196R2A221JZ01D | 220pF 100V 세라믹 커패시터 R2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196R2A221JZ01D.pdf | |
 | TSM600-250F-2 | POLYSWITCH 250V 250MA HOLD SMD | TSM600-250F-2.pdf | |
 | ABM10AIG-24.576MHZ-J4Z-T3 | 24.576MHz ±30ppm 수정 10pF 60옴 -40°C ~ 105°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10AIG-24.576MHZ-J4Z-T3.pdf | |
 | MURS105T3G | DIODE GEN PURP 50V 2A SMB | MURS105T3G.pdf | |
 | NLV32T-R27J-EF | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 360 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-R27J-EF.pdf | |
.jpg) | RT1206WRC07715RL | RES SMD 715 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRC07715RL.pdf | |
 | RCP0505W160RJET | RES SMD 160 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505W160RJET.pdf | |
 | CMF55140K00DHR6 | RES 140K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF55140K00DHR6.pdf | |
 | Y092550R0000T9L | RES 50 OHM 8W 0.01% TO220-2 | Y092550R0000T9L.pdf | |
| OP302SL | PHOTOTRNS SILICN NPN HERMET PILL | OP302SL.pdf |
