창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4563B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 0.16옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-204AD | |
공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4563B | |
관련 링크 | 1N4, 1N4563B Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
MKP385516085JPI2T0 | 1.6µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.630" W (41.50mm x 16.00mm) | MKP385516085JPI2T0.pdf | ||
0251.630MAT1L | FUSE BOARD MNT 630MA 125VAC/VDC | 0251.630MAT1L.pdf | ||
CX2016DB24000D0GPSC2 | 24MHz ±15ppm 수정 8pF 150옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2016DB24000D0GPSC2.pdf | ||
416F37433IDT | 37.4MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37433IDT.pdf | ||
CRCW0805931KFKEA | RES SMD 931K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805931KFKEA.pdf | ||
RCL04061K82FKEA | RES SMD 1.82K OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL04061K82FKEA.pdf | ||
MCR25JZHF7152 | RES SMD 71.5K OHM 1% 1/4W 1210 | MCR25JZHF7152.pdf | ||
RHC2512FT402R | RES SMD 402 OHM 1% 2W 2512 | RHC2512FT402R.pdf | ||
HVS2512-10MJ1 | RES SMD 10M OHM 5% 1W 2512 | HVS2512-10MJ1.pdf | ||
EXB-H8E473J | RES ARRAY 7 RES 47K OHM 8SSIP | EXB-H8E473J.pdf | ||
CMF6034R700FKEB | RES 34.7 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6034R700FKEB.pdf | ||
CPCP103R000FB32 | RES 3 OHM 10W 1% RADIAL | CPCP103R000FB32.pdf |