GeneSiC Semiconductor 1N4592R
- 제조업체 부품 번호
- 1N4592R
- 제조업 자
- GeneSiC Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE GEN REV 600V 150A DO205AA
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N4592R 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 25,204.60000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N4592R, we specialize in all series GeneSiC Semiconductor electronic components. 1N4592R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4592R, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N4592R 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N4592R 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4592R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N4588~4593R DO-8 (DO-205AA) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준, 역극성 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 150A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 150A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 6.5mA @ 600V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-205AA, DO-8, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-205AA(DO-8) | |
| 작동 온도 - 접합 | -60°C ~ 200°C | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 다른 이름 | 1N4592RGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4592R | |
| 관련 링크 | 1N4, 1N4592R Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor | |
1N4592R 의 관련 제품
 | GRM1885C1H621JA01D | 620pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H621JA01D.pdf | |
 | B32621A5224K | 0.22µF Film Capacitor 90V 160V Polypropylene (PP), Metallized - Stacked Radial 0.512" L x 0.236" W (13.00mm x 6.00mm) | B32621A5224K.pdf | |
| 39018R2C8.25 | FUSE CARTRIDGE 390A 8.25KVAC | 39018R2C8.25.pdf | |
 | MA-506 18.0000M-C0 | 18MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 18.0000M-C0.pdf | |
 | ECS-147.4-20-28A-TR | 14.7456MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-147.4-20-28A-TR.pdf | |
 | ASTMHTD-12.288MHZ-ZK-E-T3 | 12.288MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-12.288MHZ-ZK-E-T3.pdf | |
 | SIT3807AI-2-18NG | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA | SIT3807AI-2-18NG.pdf | |
 | 744743331 | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 740mA 1.2 Ohm Max Radial | 744743331.pdf | |
| G3FD-102SN AC100/110 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) | G3FD-102SN AC100/110.pdf | |
 | RG1608V-2260-D-T5 | RES SMD 226 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608V-2260-D-T5.pdf | |
.jpg) | TNPW201030K0BEEF | RES SMD 30K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201030K0BEEF.pdf | |
 | CMF502K7400FHEB | RES 2.74K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF502K7400FHEB.pdf |
