Microsemi Corporation 1N4688 (DO35)
- 제조업체 부품 번호
- 1N4688 (DO35)
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N4688 (DO35) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 5,268.23651
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N4688 (DO35), we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N4688 (DO35) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4688 (DO35), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N4688 (DO35) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N4688 (DO35) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4688 (DO35) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N4678(-1)-1N4717(-1) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4688 (DO35) | |
| 관련 링크 | 1N4688, 1N4688 (DO35) Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N4688 (DO35) 의 관련 제품
 | MAL204216229E3 | 22µF 400V Aluminum Capacitors Axial, Can 3.5 Ohm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C | MAL204216229E3.pdf | |
| PVC2X21 | 1000pF Film Capacitor 500V 2000V (2kV) Polypropylene (PP) Radial 0.331" Dia x 1.252" L (8.40mm x 31.80mm) | PVC2X21.pdf | |
.jpg) | MC12CD100D-TF | 10pF Mica Capacitor 500V 1210 (3225 Metric) 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) | MC12CD100D-TF.pdf | |
 | SM6T6V8CA-M3/5B | TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO-214AA | SM6T6V8CA-M3/5B.pdf | |
 | 402F27122IKR | 27.12MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F27122IKR.pdf | |
| SIT9120AC-1B2-33E100.000000Y | OSC XO 3.3V 100MHZ OE | SIT9120AC-1B2-33E100.000000Y.pdf | |
 | DTC614TKT146 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | DTC614TKT146.pdf | |
 | SRN6028-6R2M | 6.2µH Unshielded Wirewound Inductor 2.2A 63 mOhm Max Nonstandard | SRN6028-6R2M.pdf | |
 | CW201212-R12J | 120nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 480 mOhm 0805 (2012 Metric) | CW201212-R12J.pdf | |
 | RNCF0805BTE226R | RES SMD 226 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RNCF0805BTE226R.pdf | |
| R5J120E | RES 120 OHM 5W 5% RADIAL | R5J120E.pdf | |
| Y0096915R926A9L | RES 915.926 OHM 1/5W 0.05% AXIAL | Y0096915R926A9L.pdf |
