Microsemi Corporation 1N4731P/TR12
- 제조업체 부품 번호
- 1N4731P/TR12
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 4.3V 1W DO204AL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N4731P/TR12 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,634.59300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N4731P/TR12, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N4731P/TR12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4731P/TR12, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N4731P/TR12 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N4731P/TR12 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4731P/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 9옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4731P/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N4731, 1N4731P/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N4731P/TR12 의 관련 제품
 | GRM1886P1H200JZ01D | 20pF 50V 세라믹 커패시터 P2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886P1H200JZ01D.pdf | |
 | 150564K63DB | 0.56µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Axial 0.276" Dia x 0.650" L (7.00mm x 16.50mm) | 150564K63DB.pdf | |
 | T498B225K025ATE3K0 | 2.2µF Molded Tantalum Capacitors 25V 1411 (3528 Metric) 3 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T498B225K025ATE3K0.pdf | |
 | 0ZRF0015FF2B | PTC RESETTABLE 60V 0.15A RADIAL | 0ZRF0015FF2B.pdf | |
| SIT1602AI-13-33E-3.570000G | OSC XO 3.3V 3.57MHZ | SIT1602AI-13-33E-3.570000G.pdf | |
.jpg) | L-14W68NKV4E | 68nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 340 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | L-14W68NKV4E.pdf | |
 | S1812R-121K | 120nH Shielded Inductor 1.412A 100 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-121K.pdf | |
 | ERJ-3GEYJ752V | RES SMD 7.5K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-3GEYJ752V.pdf | |
 | RGC0805DTC43K2 | RES SMD 43.2K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RGC0805DTC43K2.pdf | |
 | CRA2512-JZ-R010ELF | RES SMD 0.01 OHM 5% 3W 2512 | CRA2512-JZ-R010ELF.pdf | |
 | PAT0603E8660BST1 | RES SMD 866 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E8660BST1.pdf | |
 | CRCW08056R04FNEB | RES SMD 6.04 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08056R04FNEB.pdf |
