창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4733CPE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4733CPE3/TR8 | |
관련 링크 | 1N4733C, 1N4733CPE3/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
C2012JB1H334K125AA | 0.33µF 50V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012JB1H334K125AA.pdf | ||
C1206C100C2GACTU | 10pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C100C2GACTU.pdf | ||
C1812C681J2GACTU | 680pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C681J2GACTU.pdf | ||
LP037F23CET | 3.6864MHz ±20ppm 수정 20pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP037F23CET.pdf | ||
MSM40D | AC/DC CNVRTR 5.1V 24V -12V 40W | MSM40D.pdf | ||
NLFV32T-150K-EF | 15µH Shielded Wirewound Inductor 140mA 360 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLFV32T-150K-EF.pdf | ||
CRCW1218143RFKEK | RES SMD 143 OHM 1% 1W 1218 | CRCW1218143RFKEK.pdf | ||
RCP0603W24R0GET | RES SMD 24 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W24R0GET.pdf | ||
TNPW20101M00BETF | RES SMD 1M OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20101M00BETF.pdf | ||
CPL07R1000JB143 | RES 0.1 OHM 7W 5% AXIAL | CPL07R1000JB143.pdf | ||
Y09410R10000B9L | RES 0.1 OHM 2W .1% RADIAL | Y09410R10000B9L.pdf | ||
F39-CN10 | F39-CN10 | F39-CN10.pdf |