Microsemi Corporation 1N4736P/TR8
- 제조업체 부품 번호
- 1N4736P/TR8
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 6.8V 1W DO204AL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N4736P/TR8 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,755.67400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N4736P/TR8, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N4736P/TR8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4736P/TR8, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N4736P/TR8 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N4736P/TR8 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4736P/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4736P/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N473, 1N4736P/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N4736P/TR8 의 관련 제품
-1.4.jpg) | CGA4J2X8R1E224K125AD | 0.22µF 25V 세라믹 커패시터 X8R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J2X8R1E224K125AD.pdf | |
-55.jpg) | C1608JB2A222M080AA | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 JB 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608JB2A222M080AA.pdf | |
 | S150J25SL0N6TJ5R | 15pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | S150J25SL0N6TJ5R.pdf | |
 | C1210C184J5RACTU | 0.18µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C184J5RACTU.pdf | |
 | 402F3841XIJT | 38.4MHz ±10ppm 수정 9pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F3841XIJT.pdf | |
 | UDZSTE-1727B | DIODE ZENER 27V 200MW UMD2 | UDZSTE-1727B.pdf | |
 | APT56M60L | MOSFET N-CH 600V 56A TO-264 | APT56M60L.pdf | |
 | DRQ73-4R7-R | Shielded 2 Coil Inductor Array 17.69µH Inductance - Connected in Series 4.422µH Inductance - Connected in Parallel 29.7 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 3.09A Nonstandard | DRQ73-4R7-R.pdf | |
 | RT424110 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 110VDC Coil Through Hole | RT424110.pdf | |
 | RG1005P-1151-B-T5 | RES SMD 1.15KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005P-1151-B-T5.pdf | |
 | RSMF2JB47R0 | RES METAL OX 2W 47 OHM 5% AXL | RSMF2JB47R0.pdf | |
 | STCN75M2F | SENSOR TEMPERATURE I2C/SMBUS 8SO | STCN75M2F.pdf |
