창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4737AP/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4737AP/TR12 | |
관련 링크 | 1N4737, 1N4737AP/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | 416F440X3IAR | 44MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F440X3IAR.pdf | |
![]() | LQH2MCN4R7M52L | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 335mA 1.19 Ohm Max 0806 (2016 Metric) | LQH2MCN4R7M52L.pdf | |
![]() | 1638-18J | 620µH Unshielded Molded Inductor 93mA 25.9 Ohm Max Axial | 1638-18J.pdf | |
![]() | ERA-2AED272X | RES SMD 2.7K OHM 0.5% 1/16W 0402 | ERA-2AED272X.pdf | |
![]() | CRCW12102R10FNTA | RES SMD 2.1 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12102R10FNTA.pdf | |
![]() | PAT0603E4872BST1 | RES SMD 48.7KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E4872BST1.pdf | |
![]() | TNPW1210300KBETA | RES SMD 300K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210300KBETA.pdf | |
![]() | RTO050F47R00JTE1 | RES 47 OHM 50W 5% TO220 | RTO050F47R00JTE1.pdf | |
![]() | H4866KBDA | RES 866K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4866KBDA.pdf | |
![]() | Y011032K5000T9L | RES 32.5K OHM 2.5W 0.01% AXIAL | Y011032K5000T9L.pdf | |
![]() | SLSD-71N200 | Photodiode 940nm 120° | SLSD-71N200.pdf | |
![]() | E2E-X4MD1 | Inductive Proximity Sensor 0.157" (4mm) IP67 Cylinder, Threaded - M8 | E2E-X4MD1.pdf |