Microsemi Corporation 1N4751PE3/TR12
- 제조업체 부품 번호
- 1N4751PE3/TR12
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 30V 1W DO204AL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N4751PE3/TR12 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 847.56675
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N4751PE3/TR12, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N4751PE3/TR12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4751PE3/TR12, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N4751PE3/TR12 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N4751PE3/TR12 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4751PE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 22.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4751PE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N4751P, 1N4751PE3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N4751PE3/TR12 의 관련 제품
 | UPW0J103MHD | 10000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | UPW0J103MHD.pdf | |
.jpg) | C0805C472J5RACTU | 4700pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C472J5RACTU.pdf | |
 | VJ1825A153JBBAT4X | 0.015µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A153JBBAT4X.pdf | |
 | GFA-2 | FUSE BOARD MOUNT 2A 125VAC AXIAL | GFA-2.pdf | |
 | ATS042BSM-1E | 4.096MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS042BSM-1E.pdf | |
 | 402F26022ILR | 26MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F26022ILR.pdf | |
 | 1N5061TR | DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 | 1N5061TR.pdf | |
 | STPS5H100B-TR | DIODE SCHOTTKY 100V 5A DPAK | STPS5H100B-TR.pdf | |
 | SI4834CDY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | SI4834CDY-T1-E3.pdf | |
.jpg) | ERA-8AEB5620V | RES SMD 562 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB5620V.pdf | |
 | RCP1206W1K80JS2 | RES SMD 1.8K OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W1K80JS2.pdf | |
 | WHBR75FET | RES 0.75 OHM 1W 1% AXIAL | WHBR75FET.pdf |
