창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4755CE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 32.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4755CE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N4755C, 1N4755CE3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | ULD2W680MHD | 68µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 20000 Hrs @ 105°C | ULD2W680MHD.pdf | |
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![]() | VJ0805D820FLPAJ | 82pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D820FLPAJ.pdf | |
![]() | ASTMHTD-19.200MHZ-XC-E | 19.2MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-19.200MHZ-XC-E.pdf | |
![]() | HK1005R12J-T | 120nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 1.6 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | HK1005R12J-T.pdf | |
![]() | ELT-5KT220LA | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 900 mOhm Nonstandard | ELT-5KT220LA.pdf | |
3631C151LT | 150µH Shielded Inductor 1.4A 240 mOhm Max Nonstandard | 3631C151LT.pdf | ||
![]() | S0603-33NF1B | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 250 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-33NF1B.pdf | |
![]() | CSR2010FTR150 | RES SMD 0.15 OHM 1% 1W 2010 | CSR2010FTR150.pdf | |
![]() | RT0805CRE0733K2L | RES SMD 33.2KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE0733K2L.pdf | |
![]() | H4348RBDA | RES 348 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4348RBDA.pdf | |
![]() | E3RB-DP21 | BRASSM18,0.1M DIFF,RAD,PNP,CON | E3RB-DP21.pdf |