창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4756 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N746-59A(-1,e3),1N4370-72A(-1,e3) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 35.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4756 G | |
관련 링크 | 1N47, 1N4756 G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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RSMF3FT32R4 | RES METAL OX 3W 32.4 OHM 1% AXL | RSMF3FT32R4.pdf | ||
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![]() | KAF-0261-AAA-CP-BA | CMOS Image Sensor 512H x 512V 20µm x 20µm 24-CDIP | KAF-0261-AAA-CP-BA.pdf |