창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4756APE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 35.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4756APE3/TR8 | |
관련 링크 | 1N4756A, 1N4756APE3/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
VJ1808Y681KBLAT4X | 680pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808Y681KBLAT4X.pdf | ||
VJ0805D390FXBAC | 39pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D390FXBAC.pdf | ||
MR061A153FAATR1 | 0.015µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.290" L x 0.090" W(7.36mm x 2.28mm) | MR061A153FAATR1.pdf | ||
MKP383436100JKI2B0 | 0.36µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.709" W (31.50mm x 18.00mm) | MKP383436100JKI2B0.pdf | ||
MXO45HSTLV-3C-20M0000 | 20MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 3.3V 17mA Enable/Disable | MXO45HSTLV-3C-20M0000.pdf | ||
MHQ1005P22NJTD25 | 22nH Unshielded Multilayer Inductor 230mA 1.1 Ohm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P22NJTD25.pdf | ||
ERJ-1TYJ363U | RES SMD 36K OHM 5% 1W 2512 | ERJ-1TYJ363U.pdf | ||
MCR25JZHF8061 | RES SMD 8.06K OHM 1% 1/4W 1210 | MCR25JZHF8061.pdf | ||
RE1206DRE0717K4L | RES SMD 17.4K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE0717K4L.pdf | ||
RT0402DRD076K19L | RES SMD 6.19KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD076K19L.pdf | ||
RG3216N-3742-W-T1 | RES SMD 37.4KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-3742-W-T1.pdf | ||
TNPW201052R3BEEY | RES SMD 52.3 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201052R3BEEY.pdf |