창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4757AP/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4757AP/TR12 | |
관련 링크 | 1N4757, 1N4757AP/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
E36D800HPN104MEE3M | 100000µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 5.5 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | E36D800HPN104MEE3M.pdf | ||
SR151C122KARTR1 | 1200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR151C122KARTR1.pdf | ||
CBR08C229AAGAC | 2.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C229AAGAC.pdf | ||
BZT03C20-TR | TVS DIODE 16VWM 28.4VC SOD57 | BZT03C20-TR.pdf | ||
445I23E24M00000 | 24MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I23E24M00000.pdf | ||
416F37022ADR | 37MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37022ADR.pdf | ||
VS-10ETF12-M3 | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC | VS-10ETF12-M3.pdf | ||
CRCW12063R01FKEA | RES SMD 3.01 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12063R01FKEA.pdf | ||
ERA-8ARW2261V | RES SMD 2.26KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW2261V.pdf | ||
YC164-FR-075K1L | RES ARRAY 4 RES 5.1K OHM 1206 | YC164-FR-075K1L.pdf | ||
753091222JP | RES ARRAY 8 RES 2.2K OHM 9SRT | 753091222JP.pdf | ||
OPB810W51Z | SENS OPTO SLOT 9.53MM TRANS C-MT | OPB810W51Z.pdf |