창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4761CE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 175옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 56V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4761CE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N4761C, 1N4761CE3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | KAF-1600 | FUSE TRON RECTIFIER | KAF-1600.pdf | |
![]() | 416F50035IDT | 50MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50035IDT.pdf | |
![]() | NS8BT-E3/45 | DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC | NS8BT-E3/45.pdf | |
![]() | K0900GRP | SIDAC 79-97V 1A DO15 | K0900GRP.pdf | |
![]() | LBC2518T220M | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 770 mOhm 1007 (2518 Metric) | LBC2518T220M.pdf | |
![]() | RMCF0603FT422K | RES SMD 422K OHM 1% 1/10W 0603 | RMCF0603FT422K.pdf | |
![]() | ERJ-P6WF8201V | RES SMD 8.2K OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF8201V.pdf | |
![]() | RG3216P-7152-B-T5 | RES SMD 71.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-7152-B-T5.pdf | |
![]() | RNF12FTD3K40 | RES 3.4K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD3K40.pdf | |
![]() | SFR16S0001804FR500 | RES 1.8M OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0001804FR500.pdf |