창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4762AP/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 62.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4762AP/TR12 | |
관련 링크 | 1N4762, 1N4762AP/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | BK1/GMA-4-R | FUSE GLASS 4A 125VAC 5X20MM | BK1/GMA-4-R.pdf | |
![]() | 416F3001XCTR | 30MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3001XCTR.pdf | |
![]() | VS-40HF160 | DIODE GEN PURP 1.6KV 40A DO203AB | VS-40HF160.pdf | |
![]() | MMBZ5240C-E3-08 | DIODE ZENER 10V 225MW SOT23-3 | MMBZ5240C-E3-08.pdf | |
![]() | MCT06030C3320FP500 | RES SMD 332 OHM 1% 1/8W 0603 | MCT06030C3320FP500.pdf | |
![]() | TNPW2010107KBEEY | RES SMD 107K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010107KBEEY.pdf | |
![]() | RNF14FTD1R10 | RES 1.1 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD1R10.pdf | |
![]() | RR02J4R3TB | RES 4.30 OHM 2W 5% AXIAL | RR02J4R3TB.pdf | |
![]() | Y0007825R000B0L | RES 825 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0007825R000B0L.pdf | |
![]() | UPC2708TB-E3-A | RF Amplifier IC Cellular, DBS, PCS 2.7GHz ~ 2.9GHz SOT-363 | UPC2708TB-E3-A.pdf |