창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4956US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 6.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | E-MELF | |
공급 장치 패키지 | D-5B | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4956US | |
관련 링크 | 1N49, 1N4956US Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
C0603C240K3GACTU | 24pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C240K3GACTU.pdf | ||
08052U4R7BAT2A | 4.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052U4R7BAT2A.pdf | ||
416F500X3CDT | 50MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F500X3CDT.pdf | ||
416F37423IDT | 37.4MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37423IDT.pdf | ||
SIT2001BI-S2-33E-20.000000G | OSC XO 3.3V 20MHZ OE | SIT2001BI-S2-33E-20.000000G.pdf | ||
VS-12CWQ10FNTRHM3 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK | VS-12CWQ10FNTRHM3.pdf | ||
1N4749A-TP | DIODE ZENER 24V 1W DO41G | 1N4749A-TP.pdf | ||
IRF820APBF | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB | IRF820APBF.pdf | ||
MCT06030C5761FP500 | RES SMD 5.76K OHM 1% 1/8W 0603 | MCT06030C5761FP500.pdf | ||
RC1218DK-0737R4L | RES SMD 37.4 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-0737R4L.pdf | ||
CRCW0402536KFHEDP | RES SMD 536K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402536KFHEDP.pdf | ||
CA0002330R0KS70 | RES 330 OHM 2W 10% AXIAL | CA0002330R0KS70.pdf |