창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4961US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 9.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | E-MELF | |
공급 장치 패키지 | D-5B | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4961US | |
관련 링크 | 1N49, 1N4961US Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | VJ0603D120GXBAJ | 12pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D120GXBAJ.pdf | |
![]() | TISP4350H3BJR-S | PROTECTOR SINGLE BIDIRECT 350V | TISP4350H3BJR-S.pdf | |
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![]() | TA-33.000MCD-T | 33MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V Enable/Disable | TA-33.000MCD-T.pdf | |
![]() | DF1502S | RECTIFIER BRIDGE 200V 1.5A DF-S | DF1502S.pdf | |
![]() | 1PMT5940E3/TR7 | DIODE ZENER 43V 3W DO216AA | 1PMT5940E3/TR7.pdf | |
![]() | LQW15AN39NH00D | 39nH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 700 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN39NH00D.pdf | |
![]() | CRCW20103R90JNEF | RES SMD 3.9 OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW20103R90JNEF.pdf | |
![]() | RG1608V-3830-D-T5 | RES SMD 383 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608V-3830-D-T5.pdf | |
![]() | CRCW0603226RFHEAP | RES SMD 226 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603226RFHEAP.pdf |