창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4986US | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 330옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 114V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | E-MELF | |
공급 장치 패키지 | D-5B | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N4986US | |
관련 링크 | 1N49, 1N4986US Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | T86E227M6R3EBAS | 220µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 500 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86E227M6R3EBAS.pdf | |
![]() | 416F250XXCTR | 25MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250XXCTR.pdf | |
![]() | ABC2-4.9152MHZ-4-T | 4.9152MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABC2-4.9152MHZ-4-T.pdf | |
![]() | SIT1602BI-82-33E-28.636300Y | OSC XO 3.3V 28.6363MHZ OE | SIT1602BI-82-33E-28.636300Y.pdf | |
![]() | FXO-HC538-10 | 10MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC538-10.pdf | |
![]() | 1N4747A BK | DIODE ZENER 20V 1W DO41 | 1N4747A BK.pdf | |
![]() | TU425S56E | AC/DC CONVERTER 56V 300W | TU425S56E.pdf | |
![]() | 36401E0N4ATDF | 0.4nH Unshielded Thin Film Inductor 800mA 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | 36401E0N4ATDF.pdf | |
![]() | RLB0812-391KL | 390µH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 1.8 Ohm Max Radial | RLB0812-391KL.pdf | |
![]() | CMF558M8700GNEB | RES 8.87M OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF558M8700GNEB.pdf | |
![]() | CMF6510K000FKEK | RES 10K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6510K000FKEK.pdf | |
![]() | Y073320R0000A9L | RES 20 OHM 10W 0.05% RADIAL | Y073320R0000A9L.pdf |