창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5227DO35E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 24옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 15µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5227DO35E3MSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5227DO35E3 | |
관련 링크 | 1N5227, 1N5227DO35E3 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
VJ0402D100KXXAP | 10pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D100KXXAP.pdf | ||
GRM55DR72D105KW01L | 1µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | GRM55DR72D105KW01L.pdf | ||
AQ137M5R1DA7WE | 5.1pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ137M5R1DA7WE.pdf | ||
GRM1555C1E3R9BZ01D | 3.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E3R9BZ01D.pdf | ||
RPE5C2A681J2P1A03B | 680pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPE5C2A681J2P1A03B.pdf | ||
947C471K102CDM | 470µF Film Capacitor 230V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 3.543" Dia (90.00mm) | 947C471K102CDM.pdf | ||
SIT1618BA-83-33E-20.000000T | OSC XO 3.3V 20MHZ OE | SIT1618BA-83-33E-20.000000T.pdf | ||
VS-40TPS16PBF | SCR 1600V 55A TO-247 | VS-40TPS16PBF.pdf | ||
GKI06259 | MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN | GKI06259.pdf | ||
RT1206CRC07732RL | RES SMD 732 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC07732RL.pdf | ||
RG1608N-61R9-W-T5 | RES SMD 61.9OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-61R9-W-T5.pdf | ||
RG2012V-1580-W-T1 | RES SMD 158 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-1580-W-T1.pdf |