창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5230BDO35 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 19옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5230B(DO-35)MSTR 1N5230BDO35MSTR 1N5230BDO35MSTR-ND 1N5230BMSTR 1N5230BMSTR-ND 1N5230DO35 1N5230DO35MSTR 1N5230DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5230BDO35 | |
관련 링크 | 1N523, 1N5230BDO35 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
CGA2B2NP01H010C050BA | 1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2NP01H010C050BA.pdf | ||
GRM31A5C3A330JW01D | 33pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31A5C3A330JW01D.pdf | ||
CDV30FH202FO3F | MICA | CDV30FH202FO3F.pdf | ||
SMCJ6069/TR13 | TVS DIODE 145VWM 274VC SMCJ | SMCJ6069/TR13.pdf | ||
FL6L52010L | MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6 | FL6L52010L.pdf | ||
RC0402FR-0754K9L | RES SMD 54.9K OHM 1% 1/16W 0402 | RC0402FR-0754K9L.pdf | ||
CRCW06034R64FKEA | RES SMD 4.64 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06034R64FKEA.pdf | ||
AA0402FR-0712R1L | RES SMD 12.1 OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-0712R1L.pdf | ||
RMCP2010FT3R60 | RES SMD 3.6 OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT3R60.pdf | ||
ROX2SJ5K6 | RES 5.60K OHM 2W 5% AXIAL | ROX2SJ5K6.pdf | ||
H434K8BZA | RES 34.8K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H434K8BZA.pdf | ||
EE-SX954-W 3M | U-SHP 5MM PW NPN 3M | EE-SX954-W 3M.pdf |