창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5245BDO35 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 16옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 11V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5245B(DO-35)MSTR 1N5245BDO35MSTR 1N5245BDO35MSTR-ND 1N5245BMSTR 1N5245BMSTR-ND 1N5245DO35 1N5245DO35MSTR 1N5245DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5245BDO35 | |
관련 링크 | 1N524, 1N5245BDO35 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | SIT1602ACE3-18E | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Enable/Disable | SIT1602ACE3-18E.pdf | |
![]() | NLV25T-082J-EFD | 82nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 750 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-082J-EFD.pdf | |
![]() | MCR03ERTF1651 | RES SMD 1.65K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03ERTF1651.pdf | |
![]() | ERJ-1GNJ911C | RES SMD 910 OHM 5% 1/20W 0201 | ERJ-1GNJ911C.pdf | |
![]() | CRGH0805F169K | RES SMD 169K OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F169K.pdf | |
![]() | RNCF1206BKC100R | RES SMD 100 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BKC100R.pdf | |
![]() | CPF0201D357RE1 | RES SMD 357 OHM 0.5% 1/32W 0201 | CPF0201D357RE1.pdf | |
![]() | CA0002150R0KE66 | RES 150 OHM 2W 10% AXIAL | CA0002150R0KE66.pdf | |
![]() | B20J45K | RES 45K OHM 20W 5% AXIAL | B20J45K.pdf | |
![]() | E2B-M18LN10-WP-B1 2M | Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | E2B-M18LN10-WP-B1 2M.pdf |