창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5269A(DO-35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 87V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 370옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 68V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5269ADO35MSTR 1N5269ADO35MSTR-ND 1N5269B 1N5269BMSTR 1N5269BMSTR-ND 1N5269DO35 1N5269DO35MSTR 1N5269DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5269A(DO-35) | |
관련 링크 | 1N5269A, 1N5269A(DO-35) Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
VJ1812A682KBCAT4X | 6800pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A682KBCAT4X.pdf | ||
C1210C106J3RACAUTO | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C106J3RACAUTO.pdf | ||
V575LA80CPX2855 | VARISTOR 910V 10KA DISC 20MM | V575LA80CPX2855.pdf | ||
7W-40.000MBB-T | 40MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 20mA Enable/Disable | 7W-40.000MBB-T.pdf | ||
1SS416CT,L3F | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC | 1SS416CT,L3F.pdf | ||
MMBZ5232B-HE3-08 | DIODE ZENER 5.6V 225MW SOT23-3 | MMBZ5232B-HE3-08.pdf | ||
PE-1008CQ680KTT | 68nH Unshielded Wirewound Inductor 1.1A 130 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | PE-1008CQ680KTT.pdf | ||
4470-13H | 10µH Unshielded Molded Inductor 1.8A 150 mOhm Max Axial | 4470-13H.pdf | ||
WFH160L1R0KE | RES CHAS MNT 1 OHM 10% 160W | WFH160L1R0KE.pdf | ||
AF0603JR-0775KL | RES SMD 75K OHM 5% 1/10W 0603 | AF0603JR-0775KL.pdf | ||
RP73D2B309KBTDF | RES SMD 309K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B309KBTDF.pdf | ||
83F249 | RES 249 OHM 3W 1% AXIAL | 83F249.pdf |