창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5335E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5335E3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5335, 1N5335E3/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
CGA4J1X7R1E335K125AD | 3.3µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J1X7R1E335K125AD.pdf | ||
1206GC331KAT1A | 330pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206GC331KAT1A.pdf | ||
HAU220KBACD0KR | 22pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 N750 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HAU220KBACD0KR.pdf | ||
SIT1618BEA12-33E-16.000000G | OSC XO A DRIVE 3.3V 16MHZ OE | SIT1618BEA12-33E-16.000000G.pdf | ||
ASTMHTE-12.000MHZ-AR-E-T | 12MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-12.000MHZ-AR-E-T.pdf | ||
MP1-3Q-1E-4LL-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP1-3Q-1E-4LL-00.pdf | ||
CRCW12105K90FKEA | RES SMD 5.9K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12105K90FKEA.pdf | ||
RC1005F4222CS | RES SMD 42.2K OHM 1% 1/16W 0402 | RC1005F4222CS.pdf | ||
RR0306P-111-D | RES SMD 110 OHM 0.5% 1/20W 0201 | RR0306P-111-D.pdf | ||
RG1005N-750-D-T10 | RES SMD 75 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-750-D-T10.pdf | ||
CRCW02014K75FKEE | RES SMD 4.75K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW02014K75FKEE.pdf | ||
E2EQ-X10D1 | Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP67 Cylinder, Threaded - M30 | E2EQ-X10D1.pdf |