창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5336AE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5336AE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N5336A, 1N5336AE3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
V82ZS12P | VARISTOR 82V 4.5KA DISC 14MM | V82ZS12P.pdf | ||
ABM3B-25.000MHZ-D2Y-T | 25MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3B-25.000MHZ-D2Y-T.pdf | ||
445I32J25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32J25M00000.pdf | ||
ZMY13-GS18 | DIODE ZENER 13V 1W MELF DO213AB | ZMY13-GS18.pdf | ||
S1210-152H | 1.5µH Shielded Inductor 532mA 570 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210-152H.pdf | ||
2727R-12G | 82µH Unshielded Toroidal Inductor 155mA 8.1 Ohm Max Radial | 2727R-12G.pdf | ||
THS10R15J | RES CHAS MNT 0.15 OHM 5% 10W | THS10R15J.pdf | ||
RC0603FR-079M09L | RES SMD 9.09M OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-079M09L.pdf | ||
CMF50226R00FKEB | RES 226 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50226R00FKEB.pdf | ||
UB5C-30R1F8 | RES 30.1 OHM 5W 1% AXIAL | UB5C-30R1F8.pdf | ||
MS46SR-14-1045-Q2-R-NO-FP | SPARE RECEIVER | MS46SR-14-1045-Q2-R-NO-FP.pdf | ||
10 INCH-D1-BASIC | Pressure Sensor 0.36 PSI (2.49 kPa) Differential Male - 0.08" (2.13mm) Tube, Dual 0 mV ~ 30 mV (4.5V) 4-SIP Module | 10 INCH-D1-BASIC.pdf |