창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5350AE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 9.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5350AE3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5350, 1N5350AE3/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | AON2405 | MOSFET P-CH 20V 8A 6DFN | AON2405.pdf | |
![]() | APL602LG | MOSFET N-CH 600V 49A TO-264 | APL602LG.pdf | |
![]() | UU10LFNP-B333 | 33mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 200mA DCR 5.74 Ohm | UU10LFNP-B333.pdf | |
![]() | MLF2012DR10KT000 | 100nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012DR10KT000.pdf | |
![]() | 1422455C | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 5.5A 62 mOhm Max Radial | 1422455C.pdf | |
![]() | 2500R-20H | 680µH Unshielded Molded Inductor 97mA 13.7 Ohm Max Axial | 2500R-20H.pdf | |
![]() | 3094-390KS | 39nH Unshielded Inductor 900mA 60 mOhm Max Nonstandard | 3094-390KS.pdf | |
![]() | M251206BB5109JP500 | RES SMD 51 OHM 5% 1/4W 1206 | M251206BB5109JP500.pdf | |
![]() | MCR25JZHF14R7 | RES SMD 14.7 OHM 1% 1/4W 1210 | MCR25JZHF14R7.pdf | |
![]() | RT0805CRB0717K8L | RES SMD 17.8KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB0717K8L.pdf | |
![]() | RG2012N-6491-W-T1 | RES SMD 6.49KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-6491-W-T1.pdf | |
![]() | Y1745200R000Q0L | RES SMD 200OHM 0.02% 1/4W J LEAD | Y1745200R000Q0L.pdf |