창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5350C/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 9.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5350C/TR12 | |
관련 링크 | 1N5350, 1N5350C/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | SM15T27CA-E3/9AT | TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC SMC | SM15T27CA-E3/9AT.pdf | |
![]() | 445W35G30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 30pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35G30M00000.pdf | |
![]() | RLB0712-561KL | 560µH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 1.8 Ohm Max Radial | RLB0712-561KL.pdf | |
![]() | 5022R-304H | 300nH Unshielded Inductor 178mA 11.5 Ohm Max 2-SMD | 5022R-304H.pdf | |
![]() | CNY117-1X007T | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | CNY117-1X007T.pdf | |
![]() | MCR10EZPF5602 | RES SMD 56K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF5602.pdf | |
![]() | RG3216N-6191-B-T5 | RES SMD 6.19K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-6191-B-T5.pdf | |
![]() | RT0603WRB07215RL | RES SMD 215 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRB07215RL.pdf | |
![]() | RM3216A-502/104-PBVW10 | RES NETWORK 2 RES MULT OHM 1206 | RM3216A-502/104-PBVW10.pdf | |
![]() | P51-300-A-L-MD-20MA-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Female - M10 x 1.25 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-300-A-L-MD-20MA-000-000.pdf |