Microsemi Corporation 1N5353E3/TR13
- 제조업체 부품 번호
- 1N5353E3/TR13
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 16V 5W T18
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N5353E3/TR13 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 931.58240
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N5353E3/TR13, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N5353E3/TR13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5353E3/TR13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N5353E3/TR13 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N5353E3/TR13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5353E3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 11.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,250 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5353E3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N5353, 1N5353E3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N5353E3/TR13 의 관련 제품
| 125462U040AA1B | ALUM-SCREW TERMINAL | 125462U040AA1B.pdf | |
| S102K33X7RN6TJ5R | 1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | S102K33X7RN6TJ5R.pdf | |
| B32562J1155J189 | 1.5µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP | B32562J1155J189.pdf | |
 | 0216001.MXBP | FUSE CERAMIC 1A 250VAC 5X20MM | 0216001.MXBP.pdf | |
 | ABM8G-48.000MHZ-B4Y-T | 48MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-48.000MHZ-B4Y-T.pdf | |
 | ER2D-LTP | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | ER2D-LTP.pdf | |
 | IRGP4630D-EPBF | IGBT 600V 47A 206W TO247AD | IRGP4630D-EPBF.pdf | |
| 2890-38J | 56µH Unshielded Molded Inductor 410mA 1.15 Ohm Max Axial | 2890-38J.pdf | |
 | LTV-247 | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 4 Channel 16-SO | LTV-247.pdf | |
 | PAT0805E8251BST1 | RES SMD 8.25K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E8251BST1.pdf | |
 | AF164-FR-07100KL | RES ARRAY 4 RES 100K OHM 1206 | AF164-FR-07100KL.pdf | |
 | CMF551K6900FKEK | RES 1.69K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K6900FKEK.pdf |
