창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5354/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 17V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 12.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5354/TR12 | |
관련 링크 | 1N535, 1N5354/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | MBRH12020R | DIODE MODULE 20V 120A D-67 | MBRH12020R.pdf | |
![]() | HGT1S12N60A4DS | IGBT 600V 54A 167W D2PAK | HGT1S12N60A4DS.pdf | |
![]() | ARA200A4H | RF Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | ARA200A4H.pdf | |
![]() | RC1608F275CS | RES SMD 2.7M OHM 1% 1/10W 0603 | RC1608F275CS.pdf | |
![]() | RMCP2010FT634R | RES SMD 634 OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT634R.pdf | |
![]() | PHP00805H3161BST1 | RES SMD 3.16K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H3161BST1.pdf |