Microsemi Corporation 1N5356CE3/TR12
- 제조업체 부품 번호
- 1N5356CE3/TR12
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 19V 5W T18
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N5356CE3/TR12 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,941.40233
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N5356CE3/TR12, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N5356CE3/TR12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5356CE3/TR12, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N5356CE3/TR12 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N5356CE3/TR12 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5356CE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 13.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5356CE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5356C, 1N5356CE3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N5356CE3/TR12 의 관련 제품
 | 06035C333KAZ2A | 0.033µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035C333KAZ2A.pdf | |
 | C0402C474K9PACTU | 0.47µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C474K9PACTU.pdf | |
 | C901U120JUNDBAWL45 | 12pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U120JUNDBAWL45.pdf | |
 | P4KE100A-TP | TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO41 | P4KE100A-TP.pdf | |
| 5KP15C-B | TVS DIODE 15VWM 25.62VC P600 | 5KP15C-B.pdf | |
 | 416F44022CAR | 44MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44022CAR.pdf | |
,TO-226_straightlead.jpg) | TN0604N3-G | MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 | TN0604N3-G.pdf | |
 | PTN1206E4420BST1 | RES SMD 442 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E4420BST1.pdf | |
 | CMF5528K700DHEA | RES 28.7K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5528K700DHEA.pdf | |
| CMF5520M000GNRE | RES 20M OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF5520M000GNRE.pdf | |
 | Y078650K0000A0L | RES 50K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y078650K0000A0L.pdf | |
 | HMC-ALH445-SX | RF Amplifier IC General Purpose 18GHz ~ 40GHz Die | HMC-ALH445-SX.pdf |
