창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5360B/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 25V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 18V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5360B/TR8 | |
관련 링크 | 1N536, 1N5360B/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
C3216X7R1V475M160AB | 4.7µF 35V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216X7R1V475M160AB.pdf | ||
VJ1812A821JBLAT4X | 820pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A821JBLAT4X.pdf | ||
SIT8009BC-83-33E-127.000000T | OSC XO 3.3V 127MHZ OE | SIT8009BC-83-33E-127.000000T.pdf | ||
CDRH8D43NP-220NC | 22µH Shielded Inductor 1.8A 75 mOhm Max Nonstandard | CDRH8D43NP-220NC.pdf | ||
HC1-1R7-R | 1.7µH Unshielded Wirewound Inductor 22.3A 2 mOhm Max Nonstandard | HC1-1R7-R.pdf | ||
DAT70515P | Reed Relay SPST-NO (1 Form A) Chassis Mount | DAT70515P.pdf | ||
ERA-6AEB4993V | RES SMD 499K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB4993V.pdf | ||
RMCF1206FT2R74 | RES SMD 2.74 OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FT2R74.pdf | ||
CRCW251218K0JNTG | RES SMD 18K OHM 5% 1W 2512 | CRCW251218K0JNTG.pdf | ||
RG1005P-9091-W-T5 | RES SMD 9.09K OHM 1/16W 0402 | RG1005P-9091-W-T5.pdf | ||
Y174610K0000Q0R | RES SMD 10KOHM 0.02% 0.6W J LEAD | Y174610K0000Q0R.pdf | ||
CMF5060K400FHEK | RES 60.4K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5060K400FHEK.pdf |