Microsemi Corporation 1N5363B/TR8
- 제조업체 부품 번호
- 1N5363B/TR8
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 30V 5W T18
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N5363B/TR8 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,456.21400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N5363B/TR8, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N5363B/TR8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5363B/TR8, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N5363B/TR8 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N5363B/TR8 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5363B/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 21.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5363B/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N536, 1N5363B/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N5363B/TR8 의 관련 제품
 | UUG1C472MNQ1MS | 4700µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | UUG1C472MNQ1MS.pdf | |
 | UCY2H150MHD1TO | 15µF 500V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | UCY2H150MHD1TO.pdf | |
 | GRM32ER60E337ME05L | 330µF 2.5V 세라믹 커패시터 X5R | GRM32ER60E337ME05L.pdf | |
| VS-92MT140KPBF | POWER MOD 3PH BRIDGE 55A MTK | VS-92MT140KPBF.pdf | |
 | IDD05SG60CXTMA1 | DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3 | IDD05SG60CXTMA1.pdf | |
 | SIA906EDJ-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 | SIA906EDJ-T1-GE3.pdf | |
 | LK16082R7K-T | 2.7µH Shielded Multilayer Inductor 30mA 1.15 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | LK16082R7K-T.pdf | |
 | ERJ-PA3F1132V | RES SMD 11.3K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F1132V.pdf | |
.jpg) | RT0805WRD071K1L | RES SMD 1.1K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD071K1L.pdf | |
.jpg) | CRCW1206402KDHEAP | RES SMD 402K OHM 0.5% 1/4W 1206 | CRCW1206402KDHEAP.pdf | |
 | HMC1095LP4E | RF Attenuator 31.5dB ±0.2dB 0 ~ 3GHz 75 Ohm 560mW 24-VFQFN Exposed Pad | HMC1095LP4E.pdf | |
 | E3T-ST12 5M | 1M THRU-BEAM DARK-ON NPN 5M | E3T-ST12 5M.pdf |
