Microsemi Corporation 1N5363BE3/TR8
- 제조업체 부품 번호
- 1N5363BE3/TR8
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 30V 5W T18
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
1N5363BE3/TR8 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,456.21400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 1N5363BE3/TR8, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 1N5363BE3/TR8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5363BE3/TR8, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 1N5363BE3/TR8 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
1N5363BE3/TR8 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5363BE3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 21.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5363BE3/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5363, 1N5363BE3/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
1N5363BE3/TR8 의 관련 제품
 | PLX1H220MCL1TD | 22µF 50V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 35 mOhm 3000 Hrs @ 125°C | PLX1H220MCL1TD.pdf | |
| B43504B2128M82 | 1200µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 120 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504B2128M82.pdf | |
 | VJ0402D0R7CXXAJ | 0.70pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R7CXXAJ.pdf | |
| BFC237542271 | 270pF Film Capacitor 600V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.217" W (18.50mm x 5.50mm) | BFC237542271.pdf | |
 | ABLS2-3.6864MHZ-B4Y-T | 3.6864MHz ±30ppm 수정 18pF 180옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS2-3.6864MHZ-B4Y-T.pdf | |
 | SF30DG-T | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD | SF30DG-T.pdf | |
 | 3EZ200D5E3/TR8 | DIODE ZENER 200V 3W DO204AL | 3EZ200D5E3/TR8.pdf | |
 | IRFP260PBF | MOSFET N-CH 200V 46A TO-247AC | IRFP260PBF.pdf | |
 | OF271JE | RES 270 OHM 1/2W 5% AXIAL | OF271JE.pdf | |
 | CMF55174K00DHEB | RES 174K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF55174K00DHEB.pdf | |
| 26PCBFA3G | Pressure Sensor ±5 PSI (±34.47 kPa) Compound Male - 0.2" (5mm) Tube 0 mV ~ 50 mV (10V) 4-SIP Module | 26PCBFA3G.pdf | |
| P51-500-A-G-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-500-A-G-P-4.5OVP-000-000.pdf |
