창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5365E3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 11옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 25.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5365E3/TR13 | |
관련 링크 | 1N5365, 1N5365E3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | GRM21BC81A106KE18K | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X6S 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM21BC81A106KE18K.pdf | |
![]() | 416F400X2IAR | 40MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F400X2IAR.pdf | |
![]() | CGRC507-G | DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB | CGRC507-G.pdf | |
![]() | BZX384B39-E3-18 | DIODE ZENER 39V 200MW SOD323 | BZX384B39-E3-18.pdf | |
![]() | LQP03HQ0N6W02D | 0.6nH Unshielded Thin Film Inductor 1.1A 40 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03HQ0N6W02D.pdf | |
![]() | VLF252012MT-3R3M-CA | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.39A 150 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLF252012MT-3R3M-CA.pdf | |
![]() | 2903189 | RELAY SOLID STATE | 2903189.pdf | |
![]() | RT0402BRE0753K6L | RES SMD 53.6KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE0753K6L.pdf | |
![]() | RMCP2010FT14K3 | RES SMD 14.3K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT14K3.pdf | |
![]() | AF164-FR-0715KL | RES ARRAY 4 RES 15K OHM 1206 | AF164-FR-0715KL.pdf | |
![]() | RT1451B6TR7 | RES NTWRK 16 RES 25 OHM 18LBGA | RT1451B6TR7.pdf | |
![]() | E3Z-D82 | SENSOR OPTO REFL 1M PREWIRED MOD | E3Z-D82.pdf |