창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5369C/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 27옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 36.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5369C/TR8 | |
관련 링크 | 1N536, 1N5369C/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | 1825GC102MAT1A\SB | 1000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825GC102MAT1A\SB.pdf | |
![]() | VJ0805D110GLCAC | 11pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D110GLCAC.pdf | |
![]() | 7100.1172.13 | FUSE BOARD MNT 5A 250VAC/VDC RAD | 7100.1172.13.pdf | |
![]() | 445I35J20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35J20M00000.pdf | |
![]() | ASDMB-1.544MHZ-LC-T | 1.544MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASDMB-1.544MHZ-LC-T.pdf | |
![]() | SIT8008AIT2-25S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.5mA Standby | SIT8008AIT2-25S.pdf | |
![]() | BAS4005E6433HTMA1 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23 | BAS4005E6433HTMA1.pdf | |
![]() | SMBZ5930B-E3/5B | DIODE ZENER 16V 3W DO214AA | SMBZ5930B-E3/5B.pdf | |
![]() | CPF0402B511RE1 | RES SMD 511 OHM 0.1% 1/16W 0402 | CPF0402B511RE1.pdf | |
![]() | TWW10J680E | RES 680 OHM 10W 5% RADIAL | TWW10J680E.pdf | |
![]() | B5J120E | RES 120 OHM 5.25W 5% AXIAL | B5J120E.pdf | |
![]() | D7A-3 | SENSOR VIBRATION BRKT 90-170GAL | D7A-3.pdf |