창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5376A/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 87V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 75옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 63V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 1N5376A/TR12 | |
관련 링크 | 1N5376, 1N5376A/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | GRM1886P1H4R6CZ01D | 4.6pF 50V 세라믹 커패시터 P2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886P1H4R6CZ01D.pdf | |
![]() | V18ZS1PX2855 | VARISTOR 18V 250A DISC 7MM | V18ZS1PX2855.pdf | |
![]() | MXO45-3I-18M0000 | 18MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 26mA Standby (Power Down) | MXO45-3I-18M0000.pdf | |
![]() | CGRA4003-G | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | CGRA4003-G.pdf | |
![]() | ILSB1206ER270K | 27µH Shielded Multilayer Inductor 5mA 900 mOhm Max 1206 (3216 Metric) | ILSB1206ER270K.pdf | |
![]() | ERA-8ARW5361V | RES SMD 5.36KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW5361V.pdf | |
![]() | RG1608N-1690-D-T5 | RES SMD 169 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-1690-D-T5.pdf | |
![]() | RG1005N-911-D-T10 | RES SMD 910 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-911-D-T10.pdf | |
![]() | RG2012P-3162-W-T5 | RES SMD 31.6KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-3162-W-T5.pdf | |
![]() | CW0104R000KE733 | RES 4 OHM 13W 10% AXIAL | CW0104R000KE733.pdf |